MTE662T/MTE662T-I
● 支援NVM指令
● 内建SLC caching技术
● 动态热能管理机制
● 内建LDPC ECC自动纠错功能
● 支持全区平均抹写及故障区块管理，增加可靠度
● 支持垃圾数据回收机制
● 支持S.M.A.R.T.监控功能，对存储设备进行健康状况监控、分析和报告
● 全驱动器加密与高级加密标准(AES) (客制功能)
● 符合RoHS 2.0规范、NVM Express 1.3规范、PCI Express 3.1规范
● 符合新一代M.2规格 (长度: 80mm)，适用于轻薄型行动装置
● 8CH控制器，支持8通道高速传输
● 搭载PCIe Gen 3 x4 界面
● 内建DDR4 DRAM高速缓存
● 耐用度为3K次抹写周期 (P/E cycles)
● 全系列产品采用边角粘合技术，保护关键元件
● 采用抗硫化电阻，抵御外在环境的硫化威胁
● 电源保护机制(PS)确保数据传输可靠度，降低异常断电而导致SSD内部数据毁损风险
● 支持于宽温条件(-40℃到85℃)下运作
● 支持创见Scope Pro软件
● 内建SLC caching技术
● 动态热能管理机制
● 内建LDPC ECC自动纠错功能
● 支持全区平均抹写及故障区块管理，增加可靠度
● 支持垃圾数据回收机制
● 支持S.M.A.R.T.监控功能，对存储设备进行健康状况监控、分析和报告
● 全驱动器加密与高级加密标准(AES) (客制功能)
● 符合RoHS 2.0规范、NVM Express 1.3规范、PCI Express 3.1规范
● 符合新一代M.2规格 (长度: 80mm)，适用于轻薄型行动装置
● 8CH控制器，支持8通道高速传输
● 搭载PCIe Gen 3 x4 界面
● 内建DDR4 DRAM高速缓存
● 耐用度为3K次抹写周期 (P/E cycles)
● 全系列产品采用边角粘合技术，保护关键元件
● 采用抗硫化电阻，抵御外在环境的硫化威胁
● 电源保护机制(PS)确保数据传输可靠度，降低异常断电而导致SSD内部数据毁损风险
● 支持于宽温条件(-40℃到85℃)下运作
● 支持创见Scope Pro软件
